廣東真空（kōng）設備（bèi）真空鍍膜過（guò）程均勻（yún）性（二）

廣東真空設備鍍膜薄厚均勻（yún）度（dù）完全取決於：

1、矽片（piàn）材料和（hé）濺射靶材的晶麵配對水平

2、矽片（piàn）外表溫度

3、揮發（fā）輸出功率，速度

4、真空值

5、廣東真空設備鍍膜（mó）時長，薄厚尺寸（cùn）。

成分均勻度：

揮發鍍膜成分均勻度並不是非常容易確保，實際能夠管控的影響因素齊（qí）上，但由於基本原理限製，對非單一成分鍍膜，揮發鍍膜的成分均勻度（dù）不太好。

廣東真空設備鍍膜晶向均勻度：

1、晶格常數契合度

2、矽片環境（jìng）溫度

3、蒸發速率

二、.針對磁控（kòng）濺射類鍍膜，可以將其解讀為運用電子器件或高能（néng）激光躍遷濺射靶材，從而使（shǐ）表層成分以原子團或正離子方式被磁控濺射出去，而且附著（zhe）在矽片表層，曆經塗膜全過程，產生塑料薄膜。磁控濺射鍍膜又分好幾種，整體看，與揮發鍍膜的不同之處取決於（yú）磁控濺射速度將成為基本參數之一。磁控濺射鍍膜裏的激（jī）光器磁（cí）控濺射鍍膜pld，成分均勻度非常容易維持，而原子尺度厚度均勻度相（xiàng）對性較弱（畢竟是單脈衝磁控濺射），晶向（外（wài）側）生長發育控製也比較一般。以pld為例子，要素主要包括：濺射靶材與矽片的晶麵配對水（shuǐ）平、鍍膜氣氛（低壓氣體（tǐ）氣氛）、矽片環境溫度、激光（guāng）器（qì）功率、脈衝頻率、磁控（kòng）濺射時長。針（zhēn）對不同的磁控濺射（shè）材料及矽片，主要參數必須試驗明（míng）確，是（shì）不盡相（xiàng）同的，鍍膜機器設備的好與壞（huài）主要體現在能不能精準溫度控（kòng）製，能不能（néng）確保好一點的真空值，能不能確保（bǎo）好一點的真空腔潔淨度。MBE分子束外側鍍膜技術性（xìng），早已好一點（diǎn）的克服了（le）以上所屬難題，但是（shì）基本用以實驗研（yán）究，工業化生產中比較（jiào）常見的一體式鍍膜機主（zhǔ）要是以正離子揮發（fā）鍍膜和射頻濺射鍍膜（mó）為主導。