IBS是(shì)一種精準的,重複強的技(jì)術性。光學真(zhēn)空鍍膜機等離(lí)子磁控濺射(shè)是一係列技術性(xìng)的統稱(chēng),例如高級等(děng)離子磁控(kòng)濺射和磁控管濺射。無論是哪一種技術性,都包含等離子的造成。
等離子中的正離子經加快射進(jìn)源原材(cái)料中(zhōng),碰撞疏鬆的(de)能量正離(lí)子,隨後磁控濺射到總體目標(biāo)光學元器件(jiàn)上。盡管(guǎn)不一樣種類的等離(lí)子磁控濺射具備(bèi)其特有的(de)特(tè)性和優點和缺點(diǎn),但是17c.c-起草口可以將(jiāng)這種技術性結合在一起(qǐ),由於他們具備相同的(de)原(yuán)理,他們中間的差別,對比(bǐ)這類表層的鍍膜技術性與文中中涵蓋的別的表層的鍍膜技術性中間的差別小(xiǎo)得多。
與揮發(fā)堆積不(bú)一樣,用以分子層堆積(ALD)的源原材料不用從液體(tǐ)中揮發出去(qù),反而是立即以空氣的(de)方式存有。雖然該技術性應用的是(shì)汽體,真空係統中依然必須很高(gāo)的溫度。在ALD全過程中(zhōng),氣相色譜前驅體根據非交叉式的單脈衝開展傳送,且單脈衝具備自約束性。這類加工工藝有著與眾不同的化(huà)學性能設計方案,每(měi)一個單脈衝隻黏附(fù)一層,而且(qiě)對光學件表層的幾何圖形樣子沒有特別要求。因而這類加工工藝促(cù)使17c.c-起草口可以相對(duì)高度的(de)對塗層薄厚和設計開展操縱,可(kě)是會減少堆積(jī)的速度。
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