D.M.Mattox於1963年提(tí)出真(zhēn)空離子鍍膜,並(bìng)開始實驗。一九七一年(nián),Chamber等發布了電子束離子鍍技術,一九七二年(nián),B報告了反應蒸發鍍技術,並製作了TIN和TIC超硬膜。同一(yī)年,MOLEY和SMITH將中空(kōng)陰(yīn)極技術(shù)應用(yòng)於鍍膜。二十(shí)世紀八十年代(dài),國內又相繼出現了多(duō)弧離(lí)子鍍和電弧放電高真空離子(zǐ)鍍,至今已達到工業應用水平(píng)。
離子鍍膜的原理和類型:
在(zài)真空室中,離子鍍是(shì)利用氣體放電或被蒸(zhēng)發物質部分分離,在氣體(tǐ)離子或被(bèi)蒸發物質顆粒轟擊的(de)同時(shí),將蒸發物或(huò)反應物(wù)沉積在基片上(shàng)。離子體電鍍將輝光放電現(xiàn)象、等離子體技術與真空蒸發(fā)有機結(jié)合,不僅可以明顯提高(gāo)膜的質量,而且可以擴大(dà)膜的應用範(fàn)圍。其優點是膜附著(zhe)力強、繞射(shè)性好、膜材廣泛等(děng)。D.M.首次提出離子電鍍原理,工作過程如下:
首先(xiān),將真空室抽到4×10(-3)帕以上的真(zhēn)空度,然後打開高(gāo)壓電源,在蒸發源和基片之間建立低壓氣體放電的低溫等(děng)離子區。基片電極連(lián)接5KVDC負高壓,形成輝(huī)光放電陰極。輝光(guāng)放電(diàn)區(qū)產(chǎn)生的惰性氣體離子進入陰極(jí)暗區(qū),被電場加速,轟擊基片表麵進行清洗。然後進入塗層過程,加熱使塗層氣化,原子進入等(děng)離子(zǐ)區,與惰性氣體離子和電子碰撞,少數產生離化。離子和氣體離子以更高的能量轟擊(jī)塗層表麵,從而提高塗層質量。
離子鍍層種類繁多,蒸發源加熱方式有電阻加熱、電子束加熱、等離子電子束加熱(rè)、高(gāo)頻感應加熱(rè)等。
然而,多弧離子電鍍(dù)與普通離子電鍍有很大不同(tóng)。多弧離子電鍍采用(yòng)弧放電,而不是傳統離子電鍍的輝放電。簡而言之(zhī),多弧(hú)離子(zǐ)電鍍的原理是將(jiāng)陰極靶作為蒸發源,通過靶與陽(yáng)極(jí)殼之(zhī)間(jiān)的弧放電蒸發靶材,在空間中(zhōng)形成等離子體,沉積基體。
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