磁控濺射技術近年(nián)來發展很快,其代表方法有平衡磁控濺射、反應磁(cí)控(kòng)濺射、中頻磁控濺射(shè)和(hé)高(gāo)能量脈衝磁控濺(jiàn)射等。
濺(jiàn)射鍍膜工藝主(zhǔ)要是將需要鍍膜的材料製(zhì)備成(chéng)靶板,固定於濺射(shè)鍍膜係統的陰極上,所述靶板的基片置於(yú)正對靶(bǎ)表麵(miàn)的陽極上。濺射係統抽到高真空後充入氬氣等,使陰極與陽極之間產生高壓負載,陰陽極(jí)之間(jiān)產生低壓輝光放電(diàn)。由放電產生(shēng)的等離子體中,氬氣正(zhèng)離(lí)子在電場(chǎng)的作用下向陰極運(yùn)動,與目標表麵發生碰撞,被碰撞而濺(jiàn)射的目標原子被稱為濺射(shè)原子,濺射原子的能量一般在一至幾十電(diàn)子伏範圍內,濺射(shè)原子先在基底表麵沉積,然後(hòu)形成膜。濺射膜是指(zhǐ)用低氣壓輝光放電(diàn)產生的氬氣正離子(zǐ)對陰極靶進行高速度(dù)的電場轟擊,濺射靶內的原子或分子等粒子(zǐ),使之沉積到基片或工件表麵,從而形成所需的薄膜層。但在鍍膜過程中,濺(jiàn)射出的微粒能量很低,成膜率較(jiào)低。
磁控製濺射是獲得高(gāo)質量鍍膜技(jì)術中應用最為廣泛的工藝,新型陰極的應(yīng)用使其具有較高的靶材利用率和較高的沉積速率,真空磁控製濺射鍍膜工藝目前廣泛應用於大麵積(jī)基材的鍍膜中。本方法不(bú)僅可用於單層膜的(de)沉積,也可用於多層膜的鍍製(zhì),也可用於包覆(fù)膜、光學膜、貼膜(mó)等的包覆工藝。
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