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真空鍍膜設備主要是指需要在高真空度下進行的鍍膜（mó），包括多種，包括多弧離子真空鍍膜設備（bèi）、真空離子（zǐ）蒸發、光學鍍膜機、磁控濺射、MBE分（fèn）子束外延、PLD激光濺射沉積等。真空鍍膜的工（gōng）作原（yuán）理（lǐ）是薄膜在高溫下蒸（zhēng）發，落（luò）到工（gōng）件表麵結晶。因為空氣會對（duì）蒸發的膜（mó）分子產（chǎn）生阻力，造成（chéng）碰撞，使晶體變得（dé）粗糙、暗淡，所以需（xū）要在高（gāo）真（zhēn）空下使晶體變得細小、光亮。真空度不高，晶體會（huì）失去光（guāng）澤（zé），結合力差。早期真空鍍膜依靠蒸發物的自然散射，結合效率差（chà），光澤度差。現在，隨著中頻（pín）磁控濺射靶的加入，膜體的蒸發分子在電場的作用下受（shòu）到靶材的轟擊，大（dà）量（liàng）的靶原子被濺射出（chū）來，中性的（de）靶原子(或分子)沉積在襯底上形成薄膜，解決了以往自然蒸發無法處理的（de）膜體品種，如鍍鈦、鍍（dù）鋯等（děng）問題。
主要分為以下幾類:蒸發鍍（dù）膜、濺（jiàn）射鍍膜、離子鍍。
蒸發塗層:蒸發塗層被稱為蒸發塗層，它通過加熱蒸發一種物質（zhì），並將其（qí）沉積在（zài）固體表麵。該方法最早由（yóu）m.法拉第於1857年提出，現已成為現代（dài）常用的塗層技術之一。
與（yǔ）其他真空鍍膜方法相（xiàng）比，蒸發鍍（dù）膜具有更高的沉積速率，可（kě）以沉積不容易熱分解的（de）單質和化合物薄膜。為了沉（chén）積高純度單晶薄膜，可以使用分子束外（wài）延。
濺射鍍膜:高能粒子轟擊固（gù）體表麵時，固體表麵（miàn）的粒子可以獲得（dé）能量並逸（yì）出表麵沉積在基底上。濺射於1870年開始用於鍍膜技術，1930年後由於沉積速率的提高而逐漸用於工業生產（chǎn）。
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