立式EMI磁控鍍膜生（shēng）產線

立式磁控（kòng）鍍（dù）膜生產線設備（bèi）簡介

★該立式磁控鍍膜生產線（xiàn）可鍍的工藝膜係有：金膜、銀膜、鋁膜、鈦金膜、不（bú）鏽鋼膜等單質膜和氧化膜、複合膜、增（zēng）透膜（mó）、增亮膜、光學膜、ITO導電膜、EMI屏蔽膜等等。設備能生產的產品有銀鏡、鋁鏡、彩色玻璃、工藝玻璃、光伏玻璃、光電玻璃、ITO導電玻璃、非導玻璃等，以及PC、PVC、PET等材料表麵鍍AR、AF、ITO、非導（dǎo）等膜和金屬單質膜（mó）等工藝。設備主要（yào）應用在手機鏡（jìng）片和手機後蓋鍍膜、電子、電器、軍工、家（jiā）電、五金、玩具、汽車、建築、建材、燈（dēng）飾、裝飾等眾多行業領域。本設備的優點：抽速快及穩定、產量高（gāo）、特殊的（de）傳（chuán）動結構運行平（píng）穩不（bú）卡頓（dùn）（吸收進口設備精華）。高真空部分可根（gēn）據客戶實際需要全選擇油擴散（sàn）泵或分子泵（bèng），或兩者搭配使用；設計有防返油機構（gòu），減少對產品（pǐn）的汙染；使用國內或國（guó）外知名品牌真空泵機（jī）組，加上人性化結構設計理念（niàn）和智能控（kòng）製及顯（xiǎn）示（shì）係統，使設備盡善盡美。

★工藝氣體：氬氣、氧氣、氮氣等，具體看生（shēng）產的產品而定。

★靶材材質：金、銀、銅、鋁、鈦、鋯、矽、鎳、鉻、錫、銦、铌（ní）、不鏽鋼（gāng）等或錫銦、矽鋁、鎳鉻等合金。

★磁控（kòng）濺射電源：直流電源、中頻（pín）電源、射頻電源、離子轟擊電源、離（lí）子源（yuán）電源（按客戶需要而定）

★該立式磁控鍍膜生產（chǎn）線的結構（gòu）：有3室4鎖、5室4鎖、5室6鎖（suǒ）、7室6鎖、9室8鎖。

上片平移台（上（shàng）片）-----前粗抽室（shì）（進片室、帶轟擊、粗抽真空泵機組）-----前高真（zhēn）空（kōng）室（精抽（chōu）真空（kōng）泵機組（zǔ））-----前過渡室-----鍍膜室1、2、3（鍍膜室的個數按工藝而定，精抽（chōu）真空泵機組（zǔ）、磁控濺射陰極靶、氣體係統）-----後過渡室-----後高真空室（精抽真空泵機組）-----後粗抽室（粗抽（chōu）真空泵機組）-----下片平移（yí）台（下片台）-----回流架1、2、3------連接到上片平移台（如此循環工（gōng）作）。

★該立式（shì）磁控鍍膜生產線的工作流程：現以7室（shì）6鎖為例。

在上片平移台處的工件架（jià）小車上（shàng）掛上或貼上基片-----放氣數秒並開（kāi）真空（kōng）鎖1，工件架小車進入到（dào）前粗抽室後關真空鎖1並（bìng）抽真空、轟（hōng）擊（有時（shí）需要充入氬氣（qì））----當抽到真空（kōng）度後打開真空鎖2後工件架進入前高真空室後關真空鎖2繼續抽高真空-----達到一定真空後開鎖3並進入（rù）前過渡後關真空鎖3、工件架慢速進入（rù）鍍（dù）膜室1、2、3進行磁控濺射鍍膜工作（鍍膜真空度在2×10-1Pa左右，按工（gōng）藝而定）-----鍍膜（mó）結束後工走到過渡（dù）室-----開真空鎖4並進入後高真空室關真空鎖4後停留一定時間（jiān）後-----開真空鎖5並進入後粗抽室後（hòu）關真空鎖5、放氣數秒後開真空鎖（suǒ）6-----工件架進入到下片平移台並下片台-----下片結束後（hòu）平移到回流架1，工件架從回流架1、2、3------最後送回到上片平移台回架處-----平移台平移到前粗（cū）抽室前真空鎖1前麵（miàn）停留（liú）等（děng）待上片（如此循環工（gōng）作（zuò））。

★磁控（kòng）濺（jiàn）射工作原理：電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬（氧（yǎng）、氮（dàn）等（děng））原（yuán）子發生碰撞，電離出大量的氬（yà）（氧、氮等）離（lí）子和電子，電子飛向基片（piàn）。氬離子在電場的作用下加速（sù）轟擊靶材，濺射出大量（liàng）的靶材原子，呈中性的靶（bǎ）原（yuán）子（或分子）沉積在基片上形成膜層（céng）。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁（cí）場磁力的作用（yòng）下，被束縛在靠近靶麵的等離子體區域內，該（gāi）區域內等離子體密度很高，二次電子在磁場（chǎng）的作用下圍繞靶麵作圓周（zhōu）運動，該電子的（de）運動路徑很長，在運動過程中不斷的（de）與氬原子發生碰撞電離出大量（liàng）的（de）氬離子轟擊靶材，經過多次碰（pèng）撞後電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線（xiàn）的束縛，遠離（lí）靶材，最終（zhōng）沉積在基片上。磁控濺射就是以（yǐ）磁場（chǎng）束縛和延長電子的運動路徑，改變（biàn）電子的運動方向，提高（gāo）工作氣體的電離率和（hé）有效利用電子（zǐ）的（de）能量。磁控濺射的基本原理是利用 Ar一02或N2混（hún）合氣體中的等離子體在電場和交（jiāo）變（biàn）磁場的作用下，被（bèi）加速的高（gāo）能（néng）粒子轟擊靶（bǎ）材表麵，能量交換後，靶材表（biǎo）麵的原子（zǐ）脫（tuō）離原晶格而逸出，轉移到基體表麵而（ér）成膜（mó）。